Транзистор HGT1S10N120BNS

Транзистор HGT1S10N120BNS

Артикул: 302455

Транзистор IGBT

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
1.20 kV
Номинальный Ток
35.0 A
Рассеяние Мощности
298 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
1200 V
Максимальная входная мощность
298 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Корпус/Пакет
TO-263-3
размеры
Длина
10.67 mm
Ширина
9.65 mm
Высота
4.83 mm
302455

Просмотренные товары

Транзистор 2SC5197
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5197

292889
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Микросхема ADG707BRU
Микросхемы импортные

Микросхема ADG707BRU

305096
11,20 BYN
Тип мультиплексор Конфигурация 2 x 8:1 Сопротивление канала во включенном состоянии (Max), Ом 4.5 Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±) +1.8…5.5, ±2.5 Время включения, Ton (Max), нс 32(тип) Время отключения, Toff (Max), нс 16(тип) Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус TSSOP-28 Вес, г 0.245

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GTP14N36G3VL
Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор STGB20NB37LZ
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB20NB37LZ

266702
18,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор STGW30NC60KD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60KD

305007
41,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
Транзистор SGL160N60UFD to264
Транзисторы IGBT

Транзистор SGL160N60UFD to264

293380
57,20 BYN
Наименование: SGL160N60UFD Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 100 Корпус: TO264
Транзистор IRGPS40B120UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS40B120UD

268395
33,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.50V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a

266552
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.