Транзистор 8050 ( J3Y ) (SOT23)

Транзистор 8050 ( J3Y ) (SOT23)

Артикул: 274952

Корпус SOT-23
Вес 0,1 г
NPN 40V 1.5A 0.3W_complementory SS8550

0,72 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274952
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 174УП2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 174УП2 Au

299591
13,00 BYN
174УП2 — интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения в том числе в радиоаппаратуре УКВ и используется в радиовещательной технике с функционалом в качестве логарифмического усилителя. Микросхемы выполнены в керамометаллическом корпусе 201.16-15. Маркировка...
View
Транзистор GW20N60HS to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148
32,80 BYN
Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A
View
Микросхема 1505ЛБ2Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1505ЛБ2Б Au

299629
8,60 BYN
представляет собой 2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлокерамическом корпусе для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.Тип корпуса: 402.16-33.Категория качества: ВП, ОСМ.Технические условия:  -...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB1503
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1503

303179
86,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3331
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3331

264758
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1286
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1286

302918
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор MJ11016 to3
Биполярные транзисторы

Транзистор MJ11016 to3

293307
23,00 BYN
Наименование производителя: MJ11016 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A...
View
Транзистор BUT76A
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT76A

293088
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SD1225M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1225M

304262
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
View
Транзистор 2SB1143S
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1143S

303128
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор BCV47
Биполярные транзисторы

Транзистор BCV47

303719
0,20 BYN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5Статический коэффициент передачи тока h21э мин10000Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц220Максимальная рассеиваемая мощность...
View
Транзистор 2SC5778
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5778

311585
25,20 BYN
Наименование производителя: 2SC5778 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.