Транзистор FQP12P10

Транзистор FQP12P10

Артикул: 302496

Труба MOS

16,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
-100 V
Номинальный Ток
-11.5 A
Количество Каналов
1
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
290 mΩ
Полярность
P-Channel
Рассеяние Мощности
75 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
100 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
11.5 A
Время Нарастания
160 ns
Входная емкость (Ciss)
800pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
75 W
Время падения
60 ns
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
75W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.67 mm
Ширина
4.7 mm
Высота
16.3 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
302496

Просмотренные товары

Модуль MP3 Bluetooth (XY-BT-MINI HW-770)
Каталог

Модуль MP3 Bluetooth (XY-BT-MINI HW-770)

313888
18,00 BYN
Характеристики:Питание: от 3.7 до 5В;Выход источник звука: стерео;Звуковой выход: Jack 3,5 мм;Bluetooth: V5.0;Поддержка: WAV / WMA / FLAC / APE / MP3;Расстояние: до 15 м;Поддержка профиля: A2DP / AVCTP / AVDTP / AVRCP FP;SNR: 90 дБ;THD + N: -70 дБ;Перекрестные помехи: -86 дБ;ДНР: 91 дБ;

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H4N90 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N90 to220f

293201
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...
Транзистор 2SK3568
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3568

264692
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Время нарастания (tr): 22...
Транзистор K3116
Полевые транзисторы

Транзистор K3116

276621
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Время нарастания (tr): 11...
Транзистор 2SK514
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK514

304888
9,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 500 Ohm
Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор H3N80 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H3N80 to220f

293194
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 57 pf...
Транзистор H60NF06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF06 to220

293216
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 9NK50ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50ZT4

276123
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF7822
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7822

276414
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор SPD30P06P
Полевые транзисторы

Транзистор SPD30P06P

305010
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6875 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6875 so8

293114
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Транзистор 2SJ327
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ327

304664
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 27 nC Время нарастания (tr): 35 ns...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.