Транзистор 2SB1383

Транзистор 2SB1383

Артикул: 303175

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000

37,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303175

Просмотренные товары

Транзистор D1297
Биполярные транзисторы

Транзистор D1297

275588
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12000 TO3
View
Транзистор 2SB926
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB926

303264
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Микросхема SFH6186-4
Микросхемы импортные

Микросхема SFH6186-4

308416
10,80 BYN
ХАРАКТЕРИСТИКИ • Хорошая линейность CTR в зависимости от прямого тока • Низкое ухудшение CTR • Высокое напряжение коллектор-эмиттер, VCEO = 55 В • Испытательное напряжение изоляции, 5300 VRMS • Низкая емкость связи • Соединение на концах, интервал 0,100 дюйма (2,54 мм) • Высокая устойчивость к синфазным переходным процессам • Компонент, не содержащий...
View
Транзистор 2N6650
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6650

303463
8,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000 Корпус: TO-3
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SD2083
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2083

304517
135,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC5343
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5343

275474
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3883
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3883

292868
8,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
View
Транзистор NJW0302 to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0302 to3p

293331
13,60 BYN
Наименование производителя: NJW0302 Тип материала: Si Полярность: NPN*PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75 Корпус...
View
Транзистор BC328-40
Биполярные транзисторы

Транзистор BC328-40

275103
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5407
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5407

304139
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D2102
Биполярные транзисторы

Транзистор D2102

275646
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BU2508DX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2508DX orig

275215
15,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5030
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5030

304085
10,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SD2083
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2083

304517
135,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.