Транзистор ME04N25 dpak (to252)

Транзистор ME04N25 dpak (to252)

Артикул: 293301

Наименование прибора: ME04N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 36 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

5,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293301

Просмотренные товары

Транзистор AP40T03GH (40T03)
Полевые транзисторы

Транзистор AP40T03GH (40T03)

265423
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Микросхема 168КТ2Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 168КТ2Б Au

299574
30,20 BYN
представляет собой четырехканальный аналоговый переключатель, предназначенный для коммутации тока и напряжения. Имеет две группы исполнения по параметрам (А, Б и В). Температурный диапазон – от -60 °С до +100°С. Микросхема конструктивно выполнена в корпусе: - 401.14-5.07НБ (никель, обозначение 168КТ2Т1ВК); - 401.14-5М (золото, обозначение 168КТ2ТВК)....
Микросхема 533ЛИ3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛИ3 Au

300297
4,40 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ЛИ3 представляет собой три логических элемента 3И.Предназначена для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 63 интегральных элемента.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,45 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Импортный аналог:...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 50N60SFD
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60SFD

276031
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 9NK50ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50ZT4

276123
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4542 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4542 so8

293109
6,80 BYN
Маркировка: 4542 Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор IRFB38N20D (B38N20D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB38N20D (B38N20D)

265441
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm Тип...
Транзистор IRFR5305 to-252
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR5305 to-252

276478
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRL2703S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2703S

276521
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.