Транзистор BD138-10

Транзистор BD138-10

Артикул: 303736
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -1.5 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 63 до 160
  • Корпус: TO-126
0,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303736

В этой категории 16 товаров:

Микросхема TDA1308 dip
Микросхемы импортные

Микросхема TDA1308 dip

292600
4,80 BYN
двухканальный предусилитель низкой частоты. Напряжение питания = 3...7 В; Потребляемый ток = З мА; Выходная мощность по каждому каналу (Vсс = 5 В, КНИ = 0,1%) = 60 мВт; Защита от короткого замыкания выхода; Диапазон рабочих температур = -40...+85°C
Транзистор 2SK1119
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1119

304702
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Микросхема 263УИ1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 263УИ1 Ni

299905
8,60 BYN
Микросхема 263УИ1 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.