Транзистор 2SA1016

Транзистор 2SA1016

Артикул: 302846

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

15,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302846

Просмотренные товары

Транзистор 2SD1159
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1159

304254
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Датчик напряжения и тока на чипе INA219
Датчики

Датчик напряжения и тока на чипе INA219

307261
14,40 BYN
INA219 – это датчик напряжения, тока и мощности производства Texas Instruments. Данная микросхема позволяет с высокой точностью измерять напряжение в диапазоне 0..26 вольт и силу тока. Подключение к микроконтроллеру осуществляется по протоколу I2C. Для работы микросхемы требуется небольшая обвязка, главный компонент которой – это шунтирующий резистор....
Микросхема UC2842B so8
Микросхемы импортные

Микросхема UC2842B so8

292721
7,20 BYN
Представляет собой ШИМ - Широтно-импульсная модуляция (ШИМ, англ. pulse-width modulation (PWM)) преобразователь, в основном применяется для работы в режиме DC-DC(преобразовывает постоянное напряжение одной величины в постоянное напряжение другой) преобразователя.
Нихром Х20Н80 0,25 200 г ( 570 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,25 200 г ( 570 м )

13195
143,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SC2274E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2274E

303602
2,12 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA608
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA608

264653
0,48 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA984 (F,K)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA984 (F,K)

264656
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1262
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1262

302907
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор 2SC3179
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3179

303669
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус...
Транзистор D612
Биполярные транзисторы

Транзистор D612

275698
1,16 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 25 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO126

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC5552
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5552

304150
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MJL21193 to264 (2-21F1B)
Биполярные транзисторы

Транзистор MJL21193 to264 (2-21F1B)

293322
19,20 BYN
Наименование производителя: MJL21193 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус транзистора:...
Транзистор 2SB794
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB794

303253
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1207
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1207

292911
1,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC5516
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5516

275493
11,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2N3906
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N3906

264710
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2003
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2003

303528
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1616
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1616

292920
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1512
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1512

264797
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 220 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SA608
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA608

264653
0,48 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1262
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1262

302907
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор 2SA984 (F,K)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA984 (F,K)

264656
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D612
Биполярные транзисторы

Транзистор D612

275698
1,16 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 25 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO126
Транзистор 2SC2274E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2274E

303602
2,12 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3179
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3179

303669
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.