Транзистор 6N60 ( 6A 600V) (FQPF6N60)

Транзистор 6N60 ( 6A 600V) (FQPF6N60)

Артикул: 264632

N-Channel 600V, 6A, 125W_FQPF6N60

4,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264632
Новый товар

Просмотренные товары

Набор для сборки дверного звонка
Наборы для самостоятельной сборки

Набор для сборки дверного звонка

266406
75,20 BYN
В комплект входит:2 корпуса: для звонка и для кнопки, комплект радиодеталей, печатные платы(на них подписаны все элементы), инструкция со схемой электрической принципиальной и монтажной схемой.Внимание: инструкция не переведена на русский язык.Набор предназначен для опытных радиолюбителей.
View
Лавсан лента ПЭТ (белая) 0,35 х 700 мм 1 м
Пленка ПЭТ, лента ПЭ

Лавсан лента ПЭТ (белая) 0,35 х 700 мм 1 м

17698
40,00 BYN
Лавсан отличается низким коэффициентом трения, стабильностю размеров при воздействии температуры и влажности, прочностью на сжатие даже при низких температурах, а также превосходной обрабатываемостью. Данный материал очень плотный, поэтому он не обладает высокой ударопрочностью.Возможна модификация лавсана при добавлении других полимеров, но эта операция...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFS530A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS530A

276482
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 610 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm Тип корпуса: TO220F
View
Транзистор IHW30N135R3
Полевые транзисторы

Транзистор IHW30N135R3

304999
32,00 BYN
Маркировка: H30R1353 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор STP60NS04Z to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP60NS04Z to220

293423
13,20 BYN
Наименование прибора: STP60NS04ZB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 33 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 48 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm Тип корпуса: TO220
View
Транзистор AO3409
Полевые транзисторы

Транзистор AO3409

311829
2,60 BYN
Маркировка: A92T Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор FDS4488 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4488 so8

293107
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
View
Транзистор CES2307 sot23
Полевые транзисторы

Транзистор CES2307 sot23

293094
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
View
Транзистор J557
Полевые транзисторы

Транзистор J557

276556
11,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRFPS40N60K
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS40N60K

293280
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 570 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор K3018
Полевые транзисторы

Транзистор K3018

276614
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная емкость (Cd): 9 pf...
View
Транзистор 2SK1767
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1767

304746
14,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.