Микросхема L7915

Микросхема L7915

Артикул: 260870

 Стабилизатор напряжения -15В, 1.5А, 4%, (0°C...+125°C)

1,32 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
260870
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SB703A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB703A

292823
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SA1013
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1013

264673
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

265398
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Покупатели этого товара так же приобрели:

Стеклотекстолит FR-4 35/00 1,0 х 200 х 300 мм
Стеклотекстолит односторонний FR-4

Стеклотекстолит FR-4 35/00 1,0 х 200 х 300 мм

11384
25,00 BYN
Толщина : 1,0 мм Толщина фольги: 35 мкм  Описание: Стеклотекстолит односторонний фольгированный FR-4 35/00  представляет собой стеклотекстолит, облицованный с одной стороны медной электролитической гальваностойкой фольгой толщиной 35 мкм. Имеет очень высокие механические и электроизоляционные свойства, хорошо поддается механической обработке резкой,...
View
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

265398
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SA1013
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1013

264673
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.