Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )

Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )

Артикул: 276582

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm

TO220

4,64 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276582
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SK3919
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3919

264847
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 64 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 19 ns Выходная емкость (Cd): 460 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ103GR to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ103GR to92

292944
4,80 BYN
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.014 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 ом при-0.05a, -0.01в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3 Крутизна...
Транзистор IRFP4568
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4568

276462
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 517 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 171 A Общий заряд затвора (Qg): 151 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ohm Тип...
Транзистор RFP70N06
Полевые транзисторы

Транзистор RFP70N06

312633
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FKP202
Полевые транзисторы

Транзистор FKP202

276356
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FDS4501H
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4501H

266103
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор FMH23N50E
Полевые транзисторы

Транзистор FMH23N50E

275961
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 315 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 23 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 93 nC Время нарастания (tr): 13...
Транзистор SI2302DS ( A2SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )

276711
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.65 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор 8N50
Полевые транзисторы

Транзистор 8N50

276105
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 38 ns Выходная емкость (Cd): 115 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.