Транзистор FDS4488 so8

Транзистор FDS4488 so8

Артикул: 293107

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

7,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293107

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4BC15UD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC15UD-S

276491
7,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 49W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11A Корпус: D2Pak
Транзистор AOT416 to220
Полевые транзисторы

Транзистор AOT416 to220

293042
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SK1010
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1010

312548
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор K30T60 ( IKW30N60T)
Полевые транзисторы

Транзистор K30T60 ( IKW30N60T)

276619
20,00 BYN
Маркировка: K30T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A
Транзистор P0603BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P0603BDG dpak (to252)

293336
5,20 BYN
Наименование прибора: P0603BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 68 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns...
Транзистор FDS6298
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6298

276336
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4BC20UD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20UD-S

276493
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
Транзистор FCPF22N60
Полевые транзисторы

Транзистор FCPF22N60

295010
21,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FQD5N60C dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FQD5N60C dpak (to252)

293121
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор STD4NK50ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор STD4NK50ZT4

312038
5,20 BYN
Маркировка: D4NK50Z Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 30N06
Полевые транзисторы

Транзистор 30N06

275979
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор TPC8116
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8116

276751
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор AO4435
Полевые транзисторы

Транзистор AO4435

276146
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276561
2,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.