Транзистор 2SJ175

Транзистор 2SJ175

Артикул: 304656

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 65 ns

Выходная емкость (Cd): 460 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm

5,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304656

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 02NB80C3
Полевые транзисторы

Транзистор 02NB80C3

275849
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H5N52U to220
Полевые транзисторы

Транзистор H5N52U to220

293207
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDD6685
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6685

265860
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AO4822
Полевые транзисторы

Транзистор AO4822

276162
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AOD607
Полевые транзисторы

Транзистор AOD607

276173
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор TK20J60U
Полевые транзисторы

Транзистор TK20J60U

276737
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H10N60C to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H10N60C to220f

293151
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4BC40K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC40K

276499
14,96 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.6V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
Транзистор AP9971GD
Полевые транзисторы

Транзистор AP9971GD

276232
4,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 32.5 nC Время нарастания (tr): 10 ns...
Транзистор 2SK3570 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3570 d2pak (to263)

292987
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 360 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.