Транзистор H75N06 to220

Транзистор H75N06 to220

Артикул: 293230

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 5200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

5,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293230

Просмотренные товары

Транзистор BU508DW orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU508DW orig

275248
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор AP88N30W to3p
Полевые транзисторы

Транзистор AP88N30W to3p

293052
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
View
Транзистор FDS4480 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4480 so8

293106
8,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
View
Транзистор IRGP4063D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4063D to-247

266560
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96A
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOD472 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD472 dpak (to252)

293032
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор IRF7822
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7822

276414
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF3706
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3706

275682
4,48 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 2 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 87 nsВыходная емкость...
View
Транзистор 12N80AN
Полевые транзисторы

Транзистор 12N80AN

275889
11,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 315 pf...
View
Транзистор K1070
Полевые транзисторы

Транзистор K1070

276558
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор STF8NM60ND
Полевые транзисторы

Транзистор STF8NM60ND

312042
7,20 BYN
Маркировка: 8NM60ND Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 2SJ111
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ111

304651
7,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 3 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 30 Ohm Тип корпуса: TO92
View
Транзистор FQD19N10L (19N10L)
Полевые транзисторы

Транзистор FQD19N10L (19N10L)

265431
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 14 nC Сопротивление сток-исток...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.