Транзистор SMK1265FD to220f

Транзистор SMK1265FD to220f

Артикул: 293401

Наименование прибора: SMK1265FD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 43 nC

Время нарастания (tr): 85 ns

Выходная емкость (Cd): 183 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

8,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293401

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P0920ATF
Полевые транзисторы

Транзистор P0920ATF

312023
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4458
Полевые транзисторы

Транзистор AO4458

276150
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.8 ns Выходная емкость (Cd): 760 pf...
Транзистор K50T60 (IKW50N60T)
Полевые транзисторы

Транзистор K50T60 (IKW50N60T)

276646
31,64 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор 50N60FL
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60FL

276029
16,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 417 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор TK11A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK11A50D

276726
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFB4020
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4020

276435
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип...
Транзистор AO4801 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4801 soic8

293013
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 2SK2161
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2161

292967
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 19 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
Транзистор 2SK3354
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3354

304854
8,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 83 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 106 nC Время нарастания (tr): 1500...
Транзистор IRF3706
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3706

275682
4,48 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 2 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 87 nsВыходная емкость...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.