Транзистор FDS4480 so8

Транзистор FDS4480 so8

Артикул: 293106

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800

8,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293106

Просмотренные товары

Транзистор IRGP4063D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4063D to-247

266560
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96A
View
Транзистор 2SA539Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA539Y

303051
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор H7NK80ZFP to220F
Полевые транзисторы

Транзистор H7NK80ZFP to220F

293238
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P1504EDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P1504EDG dpak (to252)

293338
6,40 BYN
Наименование прибора: P1504EDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns...
View
Транзистор 75NF20
Полевые транзисторы

Транзистор 75NF20

276085
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF820
Полевые транзисторы

Транзистор IRF820

276417
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор K50T60 (IKW50N60T)
Полевые транзисторы

Транзистор K50T60 (IKW50N60T)

276646
31,64 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Транзистор IRG7S319U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7S319U

276511
18,96 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 96W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.43V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 45A TO263
View
Транзистор 2SK2848
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2848

271131
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость...
View
Транзистор IRFBG30
Полевые транзисторы

Транзистор IRFBG30

276440
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRG4PC50K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PC50K

276502
22,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Транзистор QM3016D dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор QM3016D dpak (to252)

293348
5,20 BYN
Наименование прибора: QM3016D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 96 A Максимальная температура...
View
Транзистор AP4410M
Полевые транзисторы

Транзистор AP4410M

311841
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.