Транзистор H11N60 to220f

Транзистор H11N60 to220f

Артикул: 293156

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 272 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 58 ns

Выходная емкость (Cd): 146 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 Ohm

8,72 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293156

Просмотренные товары

Транзистор RFD15P05 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор RFD15P05 dpak (to252)

293354
7,00 BYN
Наименование прибора: RFD15P05 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP9467GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9467GH dpak (to252)

293054
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор K669
Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRGIB15B60KD1
Полевые транзисторы

Транзистор IRGIB15B60KD1

276513
18,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19A TO220FP
View
Транзистор FHP740
Полевые транзисторы

Транзистор FHP740

311916
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.58...
View
Транзистор IRFP4768
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4768

276465
41,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 93 A Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0175 Ohm Тип...
View
Транзистор 2SK2961
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2961

304830
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SJ327
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ327

304664
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 27 nC Время нарастания (tr): 35 ns...
View
Транзистор IRLML2402
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML2402

276536
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm SOT23-3
View
Транзистор IRF7424
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7424

259905
10,47 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 AОбщий заряд затвора (Qg): 75 nCСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 OhmТип корпуса: SO8
View
Транзистор 380N60E
Полевые транзисторы

Транзистор 380N60E

275994
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
View
Транзистор 50P06-15
Полевые транзисторы

Транзистор 50P06-15

276032
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор AP4506GEN
Полевые транзисторы

Транзистор AP4506GEN

276197
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(8) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )
Полевые транзисторы

Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )

276084
28,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 140 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.