Транзистор APM3054N dpak (to252)

Транзистор APM3054N dpak (to252)

Артикул: 293061

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 10.6 ns

Выходная емкость (Cd): 63 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm

11,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293061

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS4415GH
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4415GH

276324
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRF4104
Полевые транзисторы

Транзистор IRF4104

275684
7,00 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор AO4412
Полевые транзисторы

Транзистор AO4412

276136
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK184GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK184GR

304749
14,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Транзистор FMH23N50E
Полевые транзисторы

Транзистор FMH23N50E

275961
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 315 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 23 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 93 nC Время нарастания (tr): 13...
Транзистор P1504BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P1504BDG

276661
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10.8 ns Выходная емкость (Cd): 255 pf...
Транзистор 2SK215
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK215

304764
32,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор 2SK2655
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2655

304807
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 120 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Транзистор P8008HV
Полевые транзисторы

Транзистор P8008HV

276677
0,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор FDS8928A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8928A

276346
7,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRF7317
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7317

276396
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.6 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm Тип корпуса: SO8
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.