Транзистор H50N03 ipak (to251)

Транзистор H50N03 ipak (to251)

Артикул: 293204

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Выходная емкость (Cd): 280 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

2,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293204

Просмотренные товары

Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)

293240
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 140 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm Тип корпуса: PGTO263
Диоды СВЧ Д408 "5"
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ Д408 "5"

294827
2,72 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода Д408:• Выпрямленный ток: не менее 0,8 мА;• Нормированный коэффициент шума: не более 13 дБ;• Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 1,3;• Выходное сопротивление: 290...390 Ом;• Импульсная рассеиваемая мощность: 100 мВт;• Температура окружающей среды: -60...+125 °С

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP2763I-A
Полевые транзисторы

Транзистор AP2763I-A

276193
20,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 750 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4415GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4415GH

276194
7,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AP4501GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GM

276195
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(10) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор TK16A60W
Полевые транзисторы

Транзистор TK16A60W

276735
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPS37N50A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS37N50A

293278
35,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP9561
Полевые транзисторы

Транзистор AP9561

276214
6,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 39 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 46 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор 2SK117BL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK117BL

304705
5,52 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор IRFR9120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9120N

276481
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор AP4503GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4503GM

276196
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9(6.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AO4801 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4801 soic8

293013
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 2SK1404
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1404

304723
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор 2SJ601
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ601

304678
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 63 nC Время нарастания (tr): 12 ns...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.