Транзистор RJK5010 to3p

Транзистор RJK5010 to3p

Артикул: 293358

N-channel MOSFET High Speed Power Switching, Vdss=500V, Id=20A, Pd=178W, Rds(on)=0,118 Ohm

29,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293358

Просмотренные товары

Транзистор AOD4186
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4186

276167
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор AP9916H
Полевые транзисторы

Транзистор AP9916H

276227
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 18 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 98 ns Выходная емкость (Cd): 258 pf...
Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 15 х 200 мм
Латунь пруток

Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 15 х 200 мм

15450
43,00 BYN
ЛС59-1  имеет химический состав ЛС59-1 на 57-60 % состоит из меди, 37,05-42,2 % цинка, 0,8-1,9 свинца и до 0,75 % примесей. Наряду со сплавом Л63 — ЛС59-1 обрёл наиболее широкое применение среди латуней обрабатываемых давлением. Согласно классификации, наш многокомпонентный сплав — обрабатываемый давлением, но на практике он применяется чаще в качестве...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STW19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор STW19NM50N

312052
16,00 BYN
Маркировка: 19NM50N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SJ327
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ327

304664
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 27 nC Время нарастания (tr): 35 ns...
Транзистор 2SK1611
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1611

304741
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 90 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор H7NK80ZFP to220F
Полевые транзисторы

Транзистор H7NK80ZFP to220F

293238
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK526
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK526

304889
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...
Транзистор FQA13N50CF (13N50)
Полевые транзисторы

Транзистор FQA13N50CF (13N50)

265429
6,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 218 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 52N30Q
Полевые транзисторы

Транзистор 52N30Q

276037
31,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FMA09N65GX
Полевые транзисторы

Транзистор FMA09N65GX

311919
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 177 pf...
Транзистор FDS6912
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6912

311913
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK738
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK738

304895
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор QM4003D dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор QM4003D dpak (to252)

293350
4,00 BYN
Наименование прибора: QM4003D Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура...
Транзистор SI2306DS ( A6SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2306DS ( A6SHB )

276713
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.5 ns Выходная емкость (Cd): 120...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.