Транзистор APM3095P dpak (to252)

Транзистор APM3095P dpak (to252)

Артикул: 293062

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 120 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm

7,20 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293062

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P3004ND5G
Полевые транзисторы

Транзистор P3004ND5G

276671
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Транзистор AP88N30W to3p
Полевые транзисторы

Транзистор AP88N30W to3p

293052
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
Транзистор MTB6N60E
Полевые транзисторы

Транзистор MTB6N60E

311967
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FKP300A
Полевые транзисторы

Транзистор FKP300A

311918
51,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор H12N60FI (STH12N60FI,12N60FI) to-3p
Полевые транзисторы

Транзистор H12N60FI (STH12N60FI,12N60FI) to-3p

265437
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Транзистор MMD50R380P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор MMD50R380P dpak (to252)

293323
4,40 BYN
Наименование прибора: MMD50R380P Маркировка: 50R380 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A...
Транзистор AO4842 so8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4842 so8

293016
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK1011
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1011

304691
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 27P06
Полевые транзисторы

Транзистор 27P06

275972
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор BSN254
Полевые транзисторы

Транзистор BSN254

276279
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость...
Транзистор APM1110N
Полевые транзисторы

Транзистор APM1110N

311844
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SJ5027F
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ5027F

304671
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SK3850 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3850 dpak (to252)

292992
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 29 pf...
Транзистор SPW24N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPW24N60C3

312634
23,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.