Транзистор APM2510N dpak (to252)

Транзистор APM2510N dpak (to252)

Артикул: 293060

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 24 nC

Время нарастания (tr): 13 ns

Выходная емкость (Cd): 230 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

4,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293060

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H4N90 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N90 to220f

293201
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...
Транзистор IRF3704
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3704

312612
10,56 BYN
Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 20 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 7.9 мОм Ток стока 67 А Заряд затвора 8.7 нКл Термосопротивление 2.65 К/Вт Рассеиваемая мощность 57 Вт
Транзистор QM3016D dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор QM3016D dpak (to252)

293348
5,20 BYN
Наименование прибора: QM3016D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 96 A Максимальная температура...
Транзистор FMA09N65GX
Полевые транзисторы

Транзистор FMA09N65GX

311919
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 177 pf...
транзистор IRF7418
Полевые транзисторы

транзистор IRF7418

312616
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор P5NK60ZFP (5NK60ZFP, STP5NK60ZFP )
Полевые транзисторы

Транзистор P5NK60ZFP (5NK60ZFP, STP5NK60ZFP )

260375
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK735
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK735

311827
14,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf
Транзистор RSS050P03 sop8
Полевые транзисторы

Транзистор RSS050P03 sop8

293368
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2865
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2865

304825
8,60 BYN
Маркировка: K2865 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор ME35N10A
Полевые транзисторы

Транзистор ME35N10A

311963
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор STP200N6F3
Полевые транзисторы

Транзистор STP200N6F3

312048
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.