Транзистор STP19NF20 (19NF20)

Транзистор STP19NF20 (19NF20)

Артикул: 274036

N-Channel 200 V, 15 A 90W,<0.16Om

2,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274036
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 1145ЕН2А Au (51)
Микросхемы отечественные

Микросхема 1145ЕН2А Au (51)

299228
16,20 BYN
представляют собой стабилизатор напряжения с регулируемым выходным напряжением 3-12В.Изготовлены по биполярной технологии и используются в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в плоском металлокерамическом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной...
View
Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )
Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

289728
17,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
View
Микросхема 564ИЕ14 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИЕ14 Ni

300229
3,80 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом четырехразрядный двоичный счетчик и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Микросхема 564ТВ1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТВ1 Ni

300463
3,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ТВ1 представляют собой два JK-триггера с асинхронными RS-входами и динамическим управлением записи.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхем и схема...
View
Микросхема 273ХА1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 273ХА1 Ni

299937
37,80 BYN
Микросхема 273ХА1 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7811
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7811

276413
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор 33N25
Полевые транзисторы

Транзистор 33N25

275988
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 36.8 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор 2SK1102
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1102

304701
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...
View
Транзистор 2SJ306
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ306

292947
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 ns Выходная емкость (Cd): 110 pf...
View
Транзистор TK13A65U
Полевые транзисторы

Транзистор TK13A65U

276731
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор H65N06 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H65N06 so8

293220
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
View
Транзистор AP4435GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4435GM so8

293047
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6.6 ns Выходная емкость (Cd): 195 pf...
View
Транзистор CEP83A3
Полевые транзисторы

Транзистор CEP83A3

276304
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 22 ns Выходная емкость (Cd): 980 pf...
View
Транзистор IRF1407
Полевые транзисторы

Транзистор IRF1407

259862
11,00 BYN
ярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 130 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm Тип корпуса: TO220AB
View
Транзистор STP20NM60FD to-220
Полевые транзисторы

Транзистор STP20NM60FD to-220

312639
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.