Транзистор IRFB4410 (Z) to-220

Транзистор IRFB4410 (Z) to-220

Артикул: 274037

N-channel 100V, 96A, 250W

10,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274037
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 507РМ1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 507РМ1 Au

300035
48,40 BYN
микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначаются для...
Транзистор 2SC4234
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4234

275415
5,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Мотор шаговый NEMA 52 OK130STH250-7004A 1.8° 7.0A
Механика и робототехника

Мотор шаговый NEMA 52 OK130STH250-7004A 1.8° 7.0A

310647
2 400,00 BYN
Мотор шаговый гибридный NEMA 52 Модель OK130STH250-7004A Угол шага 1.8° Погрешность шага: ± 5% (полный шаг, без нагрузки) Tок обмоток: 7.0 А Напряжение 80-325 В Сопротивление фазы: 0.77 Ом ± 10% Индуктивность фазы: 12.4 мГн ± 20% Удерживающий момент*: 407.88 кг/см Максимальная радиальная сила на вал: 220 Н Максимальная осевая сила на вал: 60 Н...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4803
Полевые транзисторы

Транзистор AO4803

293014
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор P4404 EDG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404 EDG

276672
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор FDD6875
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6875

276313
14,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm DPAK
Транзистор IRF7406
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7406

259902
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 39.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор SSH10N60A
Полевые транзисторы

Транзистор SSH10N60A

289745
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 193 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Выходная емкость (Cd): 1750 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

265398
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор BSP254
Полевые транзисторы

Транзистор BSP254

276282
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...
Транзистор AOD604
Полевые транзисторы

Транзистор AOD604

293035
10,80 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор FDS4425
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4425

276325
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 38 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 10N60C
Полевые транзисторы

Транзистор 10N60C

275868
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ200
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ200

304661
54,00 BYN
Маркировка: J200 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 350 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.