Транзистор BTS410E2

Транзистор BTS410E2

Артикул: 275426

Интеллектуальный ключ, PROFET, 65В 1.8A 220мОм

20,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275426
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP9467GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9467GH dpak (to252)

293054
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRL5602S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL5602S

276532
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275951
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 3N90
Полевые транзисторы

Транзистор 3N90

265417
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP60T03GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP60T03GH

276208
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 58 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор 20N60B3D
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60B3D

275943
14,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 165W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 60NF10 orig (STP60NF10)
Полевые транзисторы

Транзистор 60NF10 orig (STP60NF10)

265419
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 104 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2N5198
Полевые транзисторы

Транзистор 2N5198

275762
6,00 BYN
Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.007 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °C
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.