Транзистор APM9932C so8

Транзистор APM9932C so8

Артикул: 293067

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018(0.045) Ohm

10,80 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293067

Просмотренные товары

Транзистор 2SJ377
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ377

304666
6,00 BYN
Маркировка: J377 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор IRF5210
Полевые транзисторы

Транзистор IRF5210

259873
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор TIP111
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP111

275804
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор Si4816ADY
Полевые транзисторы

Транзистор Si4816ADY

293391
13,60 BYN
Наименование прибора: SI4816DY Тип транзистора: FET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 8 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK4107
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4107

292998
22,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 48 nC Время нарастания (tr): 50...
Транзистор 2SK2101
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2101

304758
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор RD01MUS2 sot89
Полевые транзисторы

Транзистор RD01MUS2 sot89

293352
15,60 BYN
Наименование прибора: RD01MUS2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Тип корпуса: SOT-89 Аналог...
Транзистор 2SK2666
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2666

304810
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 40 ns Выходная емкость (Cd): 67 pf...
Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)

293240
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 140 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm Тип корпуса: PGTO263
Транзистор 140N30P
Полевые транзисторы

Транзистор 140N30P

275894
55,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.