Транзистор AP9561

Транзистор AP9561

Артикул: 276214

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 39 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 46 ns

Выходная емкость (Cd): 300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm

Тип корпуса:TO251

6,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276214
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H60N03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H60N03L dpak (to252)

293212
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор Si2306BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2306BDS sot23

293382
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2306BDS Маркировка: L6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.16 A...
Транзистор FDD8780 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD8780 dpak (to252)

293104
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPE40
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPE40

259935
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 6NK60ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK60ZT4

276078
6,00 BYN
Маркировка: B6NK60Z Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 6NC80Z
Полевые транзисторы

Транзистор 6NC80Z

312578
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор 2N06L
Полевые транзисторы

Транзистор 2N06L

275974
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 65 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор BSX60
Полевые транзисторы

Транзистор BSX60

276288
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276560
0,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Транзистор FDD5614P
Полевые транзисторы

Транзистор FDD5614P

265890
3,52 BYN
 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.