Транзистор APT1003RKLL

Транзистор APT1003RKLL

Артикул: 276268

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 135 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm

Тип корпуса: TO220

12,36 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276268
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP4532GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4532GM

276202
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 145 pf...
Транзистор 2SJ476
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ476

304670
30,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор CEP703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEP703AL

276303
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор SUM45N25-58 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор SUM45N25-58 d2pak (to263)

293428
11,00 BYN
Наименование прибора: SUM45N25-58 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура...
Транзистор FQD19N10L (19N10L)
Полевые транзисторы

Транзистор FQD19N10L (19N10L)

265431
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 14 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор HN75N09AP
Полевые транзисторы

Транзистор HN75N09AP

311923
8,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 2SK1286
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1286

304715
18,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 160...
Транзистор 60NF03L
Полевые транзисторы

Транзистор 60NF03L

276061
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4BC15UD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC15UD-S

276491
7,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 49W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11A Корпус: D2Pak
Транзистор 2SK1101
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1101

304700
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...
Транзистор IRFB3806
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB3806

311956
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0158 Ohm Тип...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.