Транзистор IRFP064N

Транзистор IRFP064N

Артикул: 259919

N-Channel 55V, 98A, 150W

17,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259919
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,0 мм 200г (28м)
Каталог

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,0 мм 200г (28м)

313589
44,00 BYN
Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки.  Ресурс работы проводов -...
View
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор BD139 orig.
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139 orig.

275137
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOTF10N60
Полевые транзисторы

Транзистор AOTF10N60

311840
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор 2SK514
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK514

304888
9,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 500 Ohm
View
Транзистор K669
Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор AP2761I-A
Полевые транзисторы

Транзистор AP2761I-A

276192
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 53 nC Время нарастания (tr): 20...
View
Транзистор 2SJ103GR to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ103GR to92

292944
4,80 BYN
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.014 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 ом при-0.05a, -0.01в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3 Крутизна...
View
Транзистор 2SK1535 TO220F
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1535 TO220F

304736
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 45 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
View
Транзистор IRFR1205
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR1205

276470
8,24 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 37 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SJ112
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ112

304652
3,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 3 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 30 Ohm Тип корпуса: TO92
View
Транзистор SSP10N60A
Полевые транзисторы

Транзистор SSP10N60A

302413
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,0 мм 200г (28м)
Каталог

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,0 мм 200г (28м)

313589
44,00 BYN
Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки.  Ресурс работы проводов -...
View
Транзистор IRFP044N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP044N

259917
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.