

+375(33)385-00-22 - интернет-магазин
+375(212)68-31-62 - юр. лица и организации
+375(33)344-01-11 - наличие и стоимость
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 81 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86.7 nC
Выходная емкость (Cd): 2900 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Наименование прибора: IRFP054N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 81 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Выходная емкость (Cd): 2900 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO247