Транзистор IRFR3709Z

Транзистор IRFR3709Z

Артикул: 276996

N-Channel 87A 30V 79W

5,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276996
Новый товар

Просмотренные товары

Датчик напряжения и тока на чипе INA219
Датчики

Датчик напряжения и тока на чипе INA219

307261
14,40 BYN
INA219 – это датчик напряжения, тока и мощности производства Texas Instruments. Данная микросхема позволяет с высокой точностью измерять напряжение в диапазоне 0..26 вольт и силу тока. Подключение к микроконтроллеру осуществляется по протоколу I2C. Для работы микросхемы требуется небольшая обвязка, главный компонент которой – это шунтирующий резистор....
Микросхема UC2842B so8
Микросхемы импортные

Микросхема UC2842B so8

292721
7,20 BYN
Представляет собой ШИМ - Широтно-импульсная модуляция (ШИМ, англ. pulse-width modulation (PWM)) преобразователь, в основном применяется для работы в режиме DC-DC(преобразовывает постоянное напряжение одной величины в постоянное напряжение другой) преобразователя.
Нихром Х20Н80 0,25 200 г ( 570 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,25 200 г ( 570 м )

13195
143,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор Si2301BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2301BDS sot23

293381
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2301BDS Маркировка: L1* Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.95 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A...
Транзистор FDS8978
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8978

276349
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор AOD4185
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4185

312581
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор TK150E09NE
Полевые транзисторы

Транзистор TK150E09NE

312094
50,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AO4413
Полевые транзисторы

Транзистор AO4413

276137
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ174
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ174

304655
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
Транзистор IRFP264N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP264N

278897
23,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 380 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A
Транзистор IRFR3110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR3110

276473
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 4NK80ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 4NK80ZT4

276025
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP2763I-A
Полевые транзисторы

Транзистор AP2763I-A

276193
20,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 750 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.