Транзисторы импортные

Полевые транзисторы

Транзистор RJP30E2 TO220F

276701

7,00 BYN

Корпус TO-220FВес 2,9 гIGBT 360V,35AНапряжение, V: 360IGBT с диодом: Без диодаТок, A: 35

Полевые транзисторы

Транзистор RJP30E3

276702

13,40 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Время нарастания: 150

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP30E3

276687

13,60 BYN

Тип управляющего канала: N-ChannelПредельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40AВремя нарастания: 150

Полевые транзисторы

Транзистор RJP30E4

276703

7,60 BYN

Vces=360V, Ic=35A, Vcesat= 1,7V

Полевые транзисторы

Транзистор RJP30H1

276705

7,52 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Время нарастания: 150

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP30H2A

266704

7,00 BYN

IGBT 360V,35A_N-Channel

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP30Y2ADPP to220f

293360

24,00 BYN

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP4046DPP to220f

293361

11,60 BYN

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP4301

302643

9,60 BYN

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP43F4A DPP

266699

9,00 BYN

Power IGBT, 430V, 40A, TO-220FP

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP4584 to220f

293362

22,80 BYN

RJP4584 - IGBT High Speed Power Switching, 450V, 35A, TO-220FP

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP4585

302642

20,40 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор RJP5001

276706

7,60 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 17 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP56F4A to220f

293363

25,60 BYN

IGBT High Speed Power Switching, 300V, 180A, TO-220FP

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP6065DPN to220f

293364

33,20 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 630V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Время нарастания: 450 Корпус: TO3PFM

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP6065DPP

266706

14,00 BYN

формованные выводы укороченные, Транзистор IGBT, 630В, 40А, 30Вт [TO-220F]

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP63F4A

293365

10,00 BYN

High Speed Power Switching 430V 40A

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP63F4DPP

266707

12,00 BYN

транзистор IGBT, 630 В, 40 А

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP63G4DPE d2pak (to263)

293366

8,40 BYN

IGBT High Speed Power Switching, 630V, 40A, TO-263

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP63K2 to-220F

289730

12,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 630V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35A Время нарастания: 200 Корпус: TO220FL

Полевые транзисторы

Транзистор RJP63K2 TO3P

276707

23,00 BYN

Корпус TO-220F/3Вес 2,9 гIGBT 630v,35A_N-ChannelНапряжение, V: 630IGBT с диодом: Без диодаТок, A: 35

Транзисторы IGBT

Транзистор RJP63K2 to-262 (d2-pak)

266691

6,52 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор RK7002 sot23

293367

4,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 4.5 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор RL7833

275507

5,24 BYN

Транзистор, N-канал 30В 150А

Показано 5161-5184 из 5751