Транзистор STP11NM80

Транзистор STP11NM80

Артикул: 302474

Труба MOS

38,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
800 V
Номинальный Ток
11.0 A
Номинальная Мощность
150 W
Количество Каналов
1
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
400 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
150 W
Пороговое Напряжение
4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
800 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
800 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
11.0 A
Время Нарастания
17 ns
Входная емкость (Ciss)
1630pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
150 W
Время падения
15 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
150W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
9.15 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
302474

Просмотренные товары

Лента ПЭ с липким слоем 0,08 х 30 мм ГОСТ20477-86 ( 30м)...
Пленка ПЭТ, лента ПЭ

Лента ПЭ с липким слоем 0,08 х 30 мм ГОСТ20477-86 ( 30м) Н -неокрашенная

20926
67,00 BYN
Лента полиэтиленовая с липким слоем ГОСТ 20477-86 вес 1шт/166г  представляет собой пленку из полиэтилена с нанесенной на ее поверхность клеевой композицией. Продукт предназначен для покрытия, фиксирования, герметизации или изоляции ровных чистых поверхностей изделий различного технического назначения. Кроме того лента по ГОСТ 20477 86 может использоваться...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275950
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FQD5N60C dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FQD5N60C dpak (to252)

293121
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор K2842
Полевые транзисторы

Транзистор K2842

276608
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Общий заряд затвора (Qg): 45 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор STM6930A
Полевые транзисторы

Транзистор STM6930A

276717
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.8 A Общий заряд затвора (Qg): 50 nC Выходная емкость (Cd): 82 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор K2475
Полевые транзисторы

Транзистор K2475

276588
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90* ns Выходная емкость (Cd): 270 pf...
Транзистор MMD70R900P
Полевые транзисторы

Транзистор MMD70R900P

294939
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор IRF642
Полевые транзисторы

Транзистор IRF642

276387
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор CEP6060 to220
Полевые транзисторы

Транзистор CEP6060 to220

293093
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52.4 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 4.5 ns Выходная емкость (Cd): 300...
Транзистор 18NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 18NM60N

275932
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4405 so-8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4405 so-8

293008
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AO4438
Полевые транзисторы

Транзистор AO4438

276147
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор TK11A65W
Полевые транзисторы

Транзистор TK11A65W

312092
12,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.