Транзистор STP14NK50ZFP

Транзистор STP14NK50ZFP

Артикул: 302523

Труба MOS

13,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.34 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
35 W
Пороговое Напряжение
3.75 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
500 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
6.00 A
Время Нарастания
16 ns
Входная емкость (Ciss)
2000pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
35 W
Время падения
12 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
35W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
9.3 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302523

Просмотренные товары

Транзистор 2SK3047
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3047

304837
45,20 BYN
Маркировка: K3047 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 2Т818Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т818Б

259515
3,52 BYN
Транзисторы 2Т818Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса не более 20 г.
Транзистор КТ209К
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209К

259427
0,80 BYN
Транзисторы КТ209К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ приемников.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P0603BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P0603BDG dpak (to252)

293336
5,20 BYN
Наименование прибора: P0603BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 68 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns...
Транзистор 2SK3564
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3564

304863
12,00 BYN
Маркировка: K3564 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 2SK3065
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3065

304840
9,80 BYN
Маркировка: KE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость...
Транзистор MDF13N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF13N65B

295609
5,92 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36.7 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK1350
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1350

292955
23,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 580 pf...
Транзистор H1NK60Z dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H1NK60Z dpak (to252)

293177
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор AOD4186
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4186

276167
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор IRLR2705
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR2705

275512
4,80 BYN
ксимальное напряжение сток-исток Uси,В 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 46Крутизна характеристики, S 6.4
Транзистор 11N80C3 (SPP11N80C3) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 11N80C3 (SPP11N80C3) to-220

265393
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Общий заряд затвора (Qg): 64 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.