Транзистор STP10NK60Z

Транзистор STP10NK60Z

Артикул: 268518

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 50 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220,

11,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-Channel 600V, 10A_ (STP10NK60Z,P10NK60Z)

268518
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H21NM60N TO247
Полевые транзисторы

Транзистор H21NM60N TO247

293184
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ103GR to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ103GR to92

292944
4,80 BYN
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.014 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 ом при-0.05a, -0.01в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3 Крутизна...
Транзистор 14NK50ZFP
Полевые транзисторы

Транзистор 14NK50ZFP

275901
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6898
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6898

276340
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 16 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор H75NF75
Полевые транзисторы

Транзистор H75NF75

293232
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор APM4010N (APM4010NU)
Полевые транзисторы

Транзистор APM4010N (APM4010NU)

266063
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 57 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 215 pf...
Транзистор K3116
Полевые транзисторы

Транзистор K3116

276621
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Время нарастания (tr): 11...
Транзистор 30N06
Полевые транзисторы

Транзистор 30N06

275979
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STU413S
Полевые транзисторы

Транзистор STU413S

276723
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Общий заряд затвора (Qg): 67 nC Выходная емкость (Cd): 138 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор CEB703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEB703AL

311872
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ449
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ449

304669
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23.1 nC Время нарастания (tr): 16...
Транзистор 2SJ176
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ176

304657
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 120 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.