Транзистор STP14NF12ZFP

Транзистор STP14NF12ZFP

Артикул: 302518

Труба MOS

9,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.16 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
60 W
Пороговое Напряжение
3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
120 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
7.00 A
Время Нарастания
25 ns
Входная емкость (Ciss)
460pF @25V(Vds)
Время падения
8 ns
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
60W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
15.75 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
302518

Просмотренные товары

Транзистор 2SD468
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD468

304602
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Оптопара АОТ162А
Оптопары

Оптопара АОТ162А

295267
0,96 BYN
Технические характеристики транзисторных оптопарАОТ162А, АОТ162Б, АОТ162В: НаименованиетранзисторнойоптопарыЗначения электрических параметров транзисторных оптопарПредельные эксплуатационные характеристикиT ОКРU ВХ(при I вх мА)U ВЫХ.ОСТ(при I вх мА)I УТ.ВЫХ(при U ком В)R ИЗt НАР(при I вх мА)t СП(при I вх мА)I ВХI ВХ.ИU ВХ.ОБРU ВЫХ.КОМI ВЫХU...
View
Транзистор BC618
Биполярные транзисторы

Транзистор BC618

275112
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1446
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1446

304309
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 6NK60ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK60ZT4

276078
6,00 BYN
Маркировка: B6NK60Z Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 2SK901
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK901

304899
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор 40N50
Полевые транзисторы

Транзистор 40N50

276003
37,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRL3705N
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3705N

276525
19,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 86 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор AP85T03GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP85T03GH dpak (to252)

293051
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор H6N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H6N60 to220

293223
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 95 pf...
View
Транзистор 45NM50FD
Полевые транзисторы

Транзистор 45NM50FD

276019
19,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор HUF75637S
Полевые транзисторы

Транзистор HUF75637S

311924
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 155 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор HGTP14N36GVL
Полевые транзисторы

Транзистор HGTP14N36GVL

311922
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор AOD480 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD480 dpak (to252)

293033
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.