Транзисторы импортные

Транзистор IRLZ24
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ24

265794
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 10 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm  to-220
Транзистор IRLZ24NS
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ24NS

282968
4,52 BYN
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при 11a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45 Крутизна характеристики, S 8.3...
Транзистор IRLZ34N
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ34N

276544
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 16.7 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm TO220
Транзистор IRLZ44N
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ44N

276545
5,32 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 32 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm TO220
Транзистор IXGH30N60A
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH30N60A

305001
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор IXGH60N60
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH60N60

268656
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор IXTA36N30P d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор IXTA36N30P d2pak (to263)

293295
37,20 BYN
Наименование прибора: IXTA36N30P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура...
Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)

293296
30,80 BYN
Наименование прибора: IXTA60N20T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg):...
Показано 4585-4608 из 5752
Транзисторы импортные
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.