Транзистор IXFX180N15P

Транзистор IXFX180N15P

Артикул: 302593

Труба MOS

107,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Каналов
1
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
11 mΩ
Рассеяние Мощности
830 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
150 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
150 V
Время Нарастания
32 ns
Входная емкость (Ciss)
7000pF @25V(Vds)
Время падения
36 ns
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
830W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Длина
16.13 mm
Ширина
5.21 mm
Высота
21.34 mm
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
302593

Просмотренные товары

Микросхема К157уд2
Микросхемы отечественные

Микросхема К157уд2

260750
20,00 BYN
Микросхемы К157УД2 представляют собой малошумящие двухканальные операционные усилители средней точности.Имеют защиту от коротких замыканий на выходе.Содержат 53 интегральных элемента.Корпус К157УД2 типа 201.14-1, масса не более 1,2 г.Напряжение питания: ±15 В.Ток потребления: не более 7 мА.Технические условия: бК0.348.412-02 ТУ.
Стеклотекстолит FR-4 1.5 х 1020 х 1220 мм
Стеклотекстолит листы и прутки FR-4

Стеклотекстолит FR-4 1.5 х 1020 х 1220 мм

13471
395,00 BYN
FR-4 – это материал, получаемый из электрической стеклоткани, пропитанной эпоксидной смолой под действием тепла и давления. Данный вид полимера отличается высокой механической прочностью и диэлектрическими свойствами, а также превосходной устойчивостью ко всем видам растворителей и кислотных химических веществ. Соответствующий для компонентов высокой...
Транзистор КТ835Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ835Б

301118
1,00 BYN
Транзисторы КТ835Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Стеклотекстолит FR-4 1.5 х 510 х 610 мм
Стеклотекстолит листы и прутки FR-4

Стеклотекстолит FR-4 1.5 х 510 х 610 мм

14014
120,00 BYN
FR-4 – это материал, получаемый из электрической стеклоткани, пропитанной эпоксидной смолой под действием тепла и давления. Данный вид полимера отличается высокой механической прочностью и диэлектрическими свойствами, а также превосходной устойчивостью ко всем видам растворителей и кислотных химических веществ. Соответствующий для компонентов высокой...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF9613
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9613

293273
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор AO3414
Полевые транзисторы

Транзистор AO3414

293007
1,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275950
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4415GH
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4415GH

276324
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK184GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK184GR

304749
14,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Транзистор 2SB3942
Полевые транзисторы

Транзистор 2SB3942

311869
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025...
Транзистор TK12A60D to220f
Полевые транзисторы

Транзистор TK12A60D to220f

293436
6,00 BYN
Наименование прибора: TK12A60D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура...
Транзистор IPB60R165CP (6R165)
Полевые транзисторы

Транзистор IPB60R165CP (6R165)

265438
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

265398
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор APM1110N
Полевые транзисторы

Транзистор APM1110N

311844
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор IRF7201
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7201

276391
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.