Транзистор ISOWATT218

Транзистор ISOWATT218

Артикул: 275245

 NPN+Диод, Vceo=700V, Ic=10A, hfe=5..9, Pd=57W ISOWATT218

5,36 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275245
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор D1654
Биполярные транзисторы

Транзистор D1654

275615
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SC4040
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4040

303883
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Транзистор 2SC4308
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4308

304019
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор 2SC5886
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5886

304191
12,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2N5401 SOT23
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 SOT23

290170
0,32 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная...
Транзистор 2SB1686
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1686

303192
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110...
Транзистор
Биполярные транзисторы

Транзистор

312449
16,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -130 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 260 Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц Корпус: TO-3PF
Транзистор BDX62
Биполярные транзисторы

Транзистор BDX62

275166
19,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц Корпус: TO-3
Транзистор 2SA1202
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1202

302888
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1203
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1203

304258
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Транзистор 2SA684
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA684

260036
2,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор NJW0281G to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0281G to3p

293330
42,40 BYN
Наименование производителя: NJW0281G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.