Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)

Транзистор IXTA60N20T d2pak (to263)

Артикул: 293296

Наименование прибора: IXTA60N20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A

Общий заряд затвора (Qg): 73 nC

Время нарастания (tr): 118 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO263

30,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293296

Просмотренные товары

Транзистор 2SB885
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB885

303261
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
Транзистор FDS4511 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4511 so8

293108
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...
Микросхема 1533ИР33 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533ИР33 Au

299809
27,00 BYN
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ. Микросхемы 1533ИР33 представляют собой восьмиразрядный буферный регистр.Применение выхода с тремя состояниями и увеличенная нагрузочная способность обеспечивает работу непосредственно на магистраль без дополнительных схем интерфейса.Содержат 414 интегральных элементов.Корпус типа...
Транзистор 11N80C3 (SPP11N80C3) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 11N80C3 (SPP11N80C3) to-220

265393
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Общий заряд затвора (Qg): 64 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Транзистор
Биполярные транзисторы

Транзистор

312449
16,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -130 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 260 Граничная частота коэффициента передачи тока: 25 МГц Корпус: TO-3PF

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STP34NM60N to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP34NM60N to220

293422
21,20 BYN
Наименование прибора: STP34NM60N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура...
Транзистор 2SK3700
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3700

304871
12,00 BYN
Маркировка: K3700 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор H90N03 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H90N03 so8

293246
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006...
Транзистор 2SK209
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK209

312559
6,72 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm Тип корпуса: SMINI SC59
Транзистор P0903BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P0903BDG

276660
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.