Транзистор IXGP70N33TBM-A to220f

Транзистор IXGP70N33TBM-A to220f

Артикул: 293294

IGBT, Ic=70A, Vce(sat)=1,7V, Pd=48W, V(br)ceo=330V

14,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293294

Просмотренные товары

Микросхема О4ПН (РХ.036.10)
Микросхемы отечественные

Микросхема О4ПН (РХ.036.10)

299217
109,80 BYN
Преобразователь ток-напряжение, для преобразования 7-разрядного двоичного кода с законом компрессии А 87,6/13 - декодер-экспандер для применения в системах связи с ИКМ, использующих компандирование сигналов ТЧ по закону «А». Применялась в телефонной аппаратуре ИКМ-120У.Питание осуществляется от источников постоянного тока (6,0+0,3)В, (6,0-0,3)В и...
View
Микросхема 129НТ1Ж-1
Микросхемы отечественные

Микросхема 129НТ1Ж-1

299258
1,00 BYN
Дифференциальная пара включает в себя два согласованных по характеристикам npn транзистора. Транзисторы максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией и в схеме применения не требуют специального смещения для разделения. Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность характеристик транзисторов, в том...
View
Транзистор GW45HF60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW45HF60WD to247

293149
41,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A
View
Микросхема 564ТМ3В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТМ3В Ni

300473
4,20 BYN
 представляют собой четыре D-триггера (типа «защелка», с прямыми и инверсными выходами и статическим управлением записью).ИС имеют два входа стробирования: вход синхронизации С и вход управления полярностью.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для...
View
Микросхема 198НТ1Б Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 198НТ1Б Ni

299718
4,80 BYN
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.Микросхемы 198НТ1Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Микросхема 530ЛП5 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 530ЛП5 Au

300101
13,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии с диодами Шоттки и p-n переходом.Микросхемы 530ЛП5 представляют собой четыре двухвходовых элемента Исключающее ИЛИ.Содержат 176 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Технические условия:...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOD478
Полевые транзисторы

Транзистор AOD478

276170
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор TPC8107
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8107

293442
9,20 BYN
Наименование прибора: TPC8107 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 130...
View
Транзистор 180N04S3 ( 3QN0402 )
Полевые транзисторы

Транзистор 180N04S3 ( 3QN0402 )

275930
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 6N50S
Полевые транзисторы

Транзистор 6N50S

276073
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 85 pf...
View
Транзистор STW11NM80 to247
Полевые транзисторы

Транзистор STW11NM80 to247

293425
17,60 BYN
Наименование прибора: STW11NM80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура...
View
Транзистор STP80NF55-08
Полевые транзисторы

Транзистор STP80NF55-08

260382
8,27 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор H60NF06T4 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF06T4 dpak (to252)

293218
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор STU405DH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STU405DH dpak (to252)

293424
11,60 BYN
Наименование прибора: STU405DH Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Общий заряд затвора (Qg): 50 nC Выходная емкость (Cd): 82 pf Сопротивление...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.