Транзистор П216В

Транзистор П216В

Артикул: 282655
  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 35 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7,5 А мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 24* Вт Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером >30 (3 В; 2 А)
  • Обратный ток коллектора <2 мА мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >0,2* МГц
1,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
282655

Просмотренные товары

Транзистор 2SD1590
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1590

304330
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000 Корпус транзистора: TO220F
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ976А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ976А Au

301283
27,00 BYN
Транзисторы СВЧ 2Т976А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 1000 МГц в схемах с общей базой при напряжении питания 28 В.Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи специального...
View
Транзистор КТ640Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ640Б-2 Au

301471
5,40 BYN
Транзисторы КТ640Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы бескорпусные на...
View
Транзистор КТ3165Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3165Б

301300
0,40 BYN
Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами.
View
Транзистор КТ818ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

259519
24,20 BYN
Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор КП327А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП327А

301542
5,52 BYN
Транзисторы КП327А кремниевые планарные с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа.Предназначены для применения в селекторах каналов телевизионных приемников дециметрового и метрового диапазонов длин волн и усилителях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Маркируются цветными точками:   КП327А -...
View
Транзистор КТ391А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ391А-2 Au

301410
2,40 BYN
Транзисторы КТ391А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
View
Транзистор КТ819А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819А

301093
1,40 BYN
Транзисторы КТ819А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор П607А
Транзисторы отечественные

Транзистор П607А

301379
0,80 BYN
германиевые структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 100 МГц.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора с жесткими выводами не более 12 гТехнические условия: аА0.336.536 ТУ.
View
Транзистор КП959Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП959Б

301612
0,40 BYN
Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ).Транзисторы КП959Б кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.Технические условия: АДБК 432 150.377...
View
Транзистор 2Т647А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т647А-2 Au

301055
27,00 BYN
Транзисторы 2Т647А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях диапазона частот 1...10 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В.Транзисторы 2Т647А-2, 2Т647Б-2, бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.На крышку транзистора наносится условная маркировка:...
View
Транзистор КТ315Е1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Е1

301292
0,40 BYN
Транзисторы КТ315Е1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.Масса транзистора не более...
View
Транзистор 2Т208К Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208К Au

300770
4,00 BYN
Транзисторы 2Т208К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.
View
Транзистор КТ854А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ854А

259798
3,52 BYN
Транзисторы КТ854А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор 2Т321Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321Е Ni

300973
1,20 BYN
Транзисторы 2Т321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
View
Транзистор КТ958А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ958А Au

301258
32,00 BYN
Транзисторы КТ958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.