Транзистор 2П303Е Ni

Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ВП».

Технические условия:

  - приёмка «5» - Ц23.365.003ТУ.

Зарубежный аналог: MFE3006, MPF107.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.

Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Е:

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;

• Iс нач - Начальный ток стока: 5...20 мА;

• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В;

• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц