Транзистор MG100J1BS11

Транзистор MG100J1BS11

Артикул: 276657

ВЫСОКАЯ КОММУТАЦИЯ PWER, ПРИЛОЖЕНИЯ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ

124,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276657
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK2615
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2615

304801
13,00 BYN
Маркировка: ZA Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
View
Транзистор IRLZ24
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ24

265794
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 10 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm  to-220
View
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
View
Транзистор K2731
Полевые транзисторы

Транзистор K2731

276600
1,04 BYN
Маркировка: KL Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная...
View
Транзистор 33N25
Полевые транзисторы

Транзистор 33N25

275988
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 36.8 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор APM4412
Полевые транзисторы

Транзистор APM4412

276254
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 233 pf...
View
Транзистор H11N60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H11N60 to220f

293156
8,72 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 272 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.