Транзистор КП745Б

Транзистор КП745Б

Артикул: 301578

Прототип:

IRF531

Тип корпуса:

КТ-28-2

Диапазон температур:

-55 +150 °С

Uси max, В:

80

Rси, Oм:

0,16

Ic max, A:

14

Uзи max, В:

±20

P max, Вт:

88

Uзи пор, В:

2,0...4,0

1,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 301578

В этой категории 16 товаров:

Транзистор ТКД152-40-6-2

Транзисторы отечественные

Транзистор ТКД152-40-6-2

Транзистор силовой биполярный n-p-n типа.Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 40АМаксимальное напряжение коллектор-база - 600ВСтруктура условного обозначения:ТКД152-40-6-ХХХ:ТКД - транзистор биполярный n-p-n типа;1...

Транзистор 2П303Д Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303Д Ni

Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.

Транзистор 3П326А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 3П326А-2 Au

3П326А-2Транзисторы 3П326А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.

Транзистор КП7173А

Транзисторы отечественные

Транзистор КП7173А

Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным в цепь „затвор-исток” двухсторонним стабилитроном, предназначенный для использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах,...

Транзистор КТ805БМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ805БМ

Транзисторы КТ805БМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.

Транзистор КТ361Е

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Е

Транзисторы КТ361Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.

Транзистор 2Т845А

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т845А

Транзисторы 2Т845А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).Технические условия: аА0.339.341 ТУ.

Транзистор 2Т949А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т949А Ni

Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор 2Т949А служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...

Транзистор КТ646А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ646А

Транзисторы КТ646А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Транзистор 2Т3124В-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3124В-2 Au

2Т3124В-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию.

Тразистор КП302Г1

Транзисторы отечественные

Тразистор КП302Г1

Транзисторы кремниевые планарные с каналом n-типа, с диффузионным затвором, усилительные.Предназначены для применения в малошумящих каскадах усиления, в переключающих устройствах и коммутаторахс высоким входным сопротивлением.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами, тип корпуса КТ-26.Масса транзистора не более 0.5 г.

Транзистор КТ3123

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123

Транзисторы КТ3123АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выпускаются в металлокерамическом корпусе.Масса транзисторов не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-29.

Транзистор 2Т837Г

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.

Транзистор 2П913Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П913Б Au

Транзисторы 2П913Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.Полевые транзисторы 2П913А, 2П913Б, 2П913В, 2П913Г предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также для работы в переключающих устройствах.

Транзистор 2Т603А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т603А Ni

Транзисторы 2Т603А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,75 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: И93.365.003 ТУ.

Тразистор КП307Г1

Транзисторы отечественные

Тразистор КП307Г1

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.