Транзисторы

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1240

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 185...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1240

275067

4,00 BYN

Корпус TO-92Вес 0,4 гSi-P, 40V, 2A, 1W, 100MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1242

303139

5,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 185...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1243

312451

5,60 BYN

Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1243

292820

2,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 195...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1260

303140

5,40 BYN

Маркировка: BHP_BHQ_BHR Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1260

275068

1,76 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1273

275069

1,76 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1274

303141

8,60 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1302S

303142

4,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1322AB

303143

5,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1322AR

260040

3,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1329

303144

3,80 BYN

биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт)

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1330

303145

4,80 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1333

303146

16,20 BYN

1,2 Вт ПАКЕТ ПИТАНИЯ ЛЕНТОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ MECHINE

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1340

303147

4,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1340

275070

4,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1342

303148

6,52 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1342

275071

3,40 BYN

Корпус TO-220FВес 2,9 гPNP Darl, 80V, 4A, 30W, B=1k-10k (Comp. 2SD1933)

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1343

275072

3,40 BYN

TO220

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1344

312452

4,48 BYN

Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1357

303149

2,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1361

275073

19,40 BYN

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, не более: -150 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -9 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200 Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1366

275074

3,00 BYN

Корпус TO-220FВес 2,9 гSi-P, 60V, 3A, 25W, 9MHz

Показано 601-624 из 6887