Транзистор 2SC1675

Транзистор 2SC1675

Артикул: 275294

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

TO92

0,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275294
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC3194
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3194

275357
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 TO92
View
Транзистор A107M
Биполярные транзисторы

Транзистор A107M

274971
1,04 BYN
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная...
View
Транзистор КТ8115А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8115А

301510
14,00 BYN
Транзисторы КТ8115А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SC829
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC829

275567
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA564A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA564A

303487
5,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение коллектор-база, не более: -45 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 65 до 700 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус:...
View
Транзистор 2SC1755
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1755

303503
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5570
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5570

292898
18,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1426
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1426

275078
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор 2SC458C
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC458C

304048
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1302
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1302

264640
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA473Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA473Y

303050
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор TT2144
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2144

275822
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SC5440
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5440

275483
8,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SC829
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC829

275567
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.