Транзистор 2SC1623-T1B

Транзистор 2SC1623-T1B

Артикул: 303494

Маркировка: L4_L5_L6_L7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

0,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303494

Просмотренные товары

Транзистор 2SC5207
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5207

292890
11,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC5584
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5584

275525
16,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3749
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3749

275394
3,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 500 В Напряжение коллектор-база, не более: 800 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 50 Граничная частота коэффициента передачи тока: 18 МГц TO220F
Транзистор D2599
Биполярные транзисторы

Транзистор D2599

275669
7,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Граничная частота коэффициента передачи...
BUTW92
Биполярные транзисторы

BUTW92

282870
16,00 BYN
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,5 В Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В Длина 15.9мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-база 500 В Производитель STMicroelectronics Максимальное напряжение К-Э...
Транзистор 2SC2808
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2808

303635
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор ZTX450
Биполярные транзисторы

Транзистор ZTX450

275833
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
Транзистор PMBTA92
Биполярные транзисторы

Транзистор PMBTA92

275785
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор IRGB4086
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGB4086

311723
23,20 BYN
Наименование: IRGB4086 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 Тип корпуса: TO220AB
Транзистор 2SB1184
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1184

275062
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор BD201
Каталог

Транзистор BD201

303740
3,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Граничная частот
Транзистор 2SD2058
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2058

292933
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.