Транзистор 2SC1879

Транзистор 2SC1879

Артикул: 264738

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

30,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Наименование производителя: 2SC1879

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Корпус транзистора: TO39-1

264738
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор D600K
Биполярные транзисторы

Транзистор D600K

275697
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SA1241
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1241

302901
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор 2SB686
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB686

303200
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD1272
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1272

304266
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Транзистор 2SD1783
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1783

304386
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000 Корпус транзистора: TO220
Транзистор 2SD2531
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2531

304551
14,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC3688 to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3688 to3p

292866
11,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор SGT40N60NPFD
Биполярные транзисторы

Транзистор SGT40N60NPFD

311732
31,00 BYN
мощные БТИЗ (IGBT) транзисторы в корпусе TO-3P производства компании Silan Microelectronics. Используют технологию Field Stop IGBT, обеспечивают оптимальную производительность. Применяются в сварочных инверторах китайского производства, аппаратах индукционного нагрева, импульсных источниках питания, в блоках коррекции коэффициента мощности
Транзистор 2SC1398
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1398

303474
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор MMBT3906
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT3906

275735
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор A1987
Биполярные транзисторы

Транзистор A1987

275019
12,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -230 В Напряжение коллектор-база, не более: -230 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 180 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
Транзистор 2SB891F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB891F

303262
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 21196
Биполярные транзисторы

Транзистор 21196

274944
28,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Транзистор 2SC1788
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1788

275297
2,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 TO92
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.