Транзистор G40N150D

Транзистор G40N150D

Артикул: 268385

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 180

40,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

 

IGBT 40A 1500V 200W_с диодом
268385
Новый товар

Просмотренные товары

Симистор ТС112-10-1
Симисторы отечественные

Симистор ТС112-10-1

302905
4,00 BYN
Тиристор симметричный низкочастотный штыревого исполнения.Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, а также в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жестким выводом.Максимально допустимый действующий ток - 10 АПовторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT40T301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40T301

268389
47,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 5V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View
Транзистор SGH30N60RUFD
Транзисторы IGBT

Транзистор SGH30N60RUFD

305006
48,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Тип корпуса: TO3P
View
Транзистор STGW30NC120HD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC120HD

305009
32,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор STGW30NC60WD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60WD

305008
34,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.