Транзистор 2SA1036

Транзистор 2SA1036

Артикул: 302850
Полярность
PNP
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
32 V
Непрерывный ток коллектора
500mA
hFE Min
82
hFE Max
390
пакет
Корпус/Пакет
SOT-23-3
размеры
Корпус/Пакет
SOT-23-3
0,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302850

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3152
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3152

303665
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3997
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3997

292870
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1432
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1432

292915
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1933
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1933

304498
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
Транзистор D1546
Биполярные транзисторы

Транзистор D1546

275608
7,84 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2120
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2120

312463
1,68 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 35 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SC4518A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4518A

311582
10,60 BYN
Наименование производителя: 2SC4518A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5...
Транзистор 2SA1930 to-220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1930 to-220

295068
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MPSA56
Биполярные транзисторы

Транзистор MPSA56

275752
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D2396
Биполярные транзисторы

Транзистор D2396

275656
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SA995
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA995

303086
16,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор NJW0302 to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0302 to3p

293331
13,60 BYN
Наименование производителя: NJW0302 Тип материала: Si Полярность: NPN*PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75 Корпус...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.